High-Kmaterial의 필요성
Thin SiO2의 문제점
게이트 유전막을 통한 boron penetration
20Å 미만의 두께에서
leakage current 발생
poly-si depletion effect
해결
SiO2에 비해 큰 유전상수
물리적 두께 증가
전자의 터널링 억제
Motivation
High Density
- More transistors onto a smaller chip
- Cost effective from
를 포함하는 거친 roughness로 인하여 OLED Panel 양산제조시 발생하는 Leakage Current 현상의 부작용이 문제가 되어 이를 보완해주기 위한 방법으로 정공 주입층 재료의 두께가 100nm정도로 두껍게 요구됨에 따라 두꺼운 두께에서도 lm/w단위의 고효율이 유지될 수 있는 신규 재료가 매우 절실히 필요되고 있다.
를 exciton이라고 하며, 이것은 고에너지를 가진 한 개의 분자처럼 행동한다. Exciton은 exciton lifetime period이후에 빛을 방출하게된다.(그림.1). 그림2는 구조를 개략적으로 그린것으로 그림2를 반시계방향으로 90도 회전 시키면 그림1과 같다
방출된 빛의 파장은 exciton energy 와 부합하기 때문에 색중심의 분자
석유, 석탄, 천연가스 등의 화석에너지 자원들은 고갈되고 있고, 시대가 지나면서 에너지 문제의 중요성은 더욱 증가되어 에너지 안보 문제가 심각하다. 우리나라는 2009년도 기준 에너지 해외 의존도가 약 96.2%로 세계 에너지 시장의 변화에 취약한 구조를 가지고 있다. 특히 중동 지역의 의존도가 2008년
[1]초전도 재료 (superconducting materials)
어떤 임계온도에서 전기 저항이 완전히 없어지는 현상을 초전도 라 한다.
이러한 거동을 나타내는 재료를 초전도 재료라 한다.
(1)초전도 상태
수온(Hg)와 온도 저하에 따라 전기 저항이 감소하다가 4.2K에서는 영이다.
이 점은 온도를 임계온도 Tc라 한다. 이 임